학술대회(국내) |
1.
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Jaesung Lee, Kwangsoo Kim, Jinsu Han, Jaegab Kim, and Hunsub Park
"Electrical Characteristics of Ti-Salicided n-MOSFETs with Asymmetric Source/Drain
Regions "
International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications,
Taiwan, June, 1997.
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2.
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이재성, 오세철, 이용현
“Ti0.1W0.9 위에 증착된 SiO2 박막의 후속 열처리에 의한 전기적 절연특성조사.“
한국센서학회 학술대회 논문집, vol. 5, no. 1, 1994.
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3.
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박형호, 이재성, 조경익, 이용현
“XPS chamber 내 in-situ 열처리에 의한 SiO2/TiW system 의 계면 반응 연구 ”
1994년도 한국재료학회 춘계학술대회 논문집, 1994.
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4.
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박형호, 이재성, 강동규, 조경익, 이용현
“절연물/금속 system 의 In/Ex-situ 열처리에 의한 계면상태 비교 연구 ”
한국 진공 학회 제 7회 학술 발표회 및 한,일 CVD 심포지움 논문집, 1994.
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5.
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공동욱, 정환희, 이재성, 이용현
“불규칙한 소오스/드레인 금속 접촉을 갖는 비대칭 m-MOSFET의 전기적 특성 및 모델,”
대한전자공학회 추계 학술대회 논문집, vol. 22, no. 2, pp.208-211, 1999.
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6.
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권혁주, 이용수, 이재성, 이용현 " PTC, BaTiO3 grain 저항과 용량 특성" 한국센서학회
학술대회 논문집 vol. 2, no. 1, 1991.
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7.
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이재성, 류창명, 이석헌, 김창균, 이용현 " Al/α-BaTiO3/SiO2/TiW실리사이드 안티퓨즈의
제조 " 한국센서학회 학술대회 논문집, vol. 6, no. 1, pp.272-279, 1995.
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8.
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류창명, 이재성, 이석헌, 김창균, 이용현, " RF magnetron 스퍼터링법으로 증착한 BaTiO3박
막의 제조 및 그 특성," 한국센서학회 학술대회 논문집, vol. 6, no. 1, pp.462-468,
1995.
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9.
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공동욱, 이재성, 이용현, "비대칭 소오스/드레인을 갖는 NMOSFET의 전기적 특성 ," 대한전
자공학회 추계 학술대회 논문집, vol. 21, no. 2, pp.533-536, 1998.
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10.
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이재성, 이원규,"박막 게이트 산화막의 열화에의해 나타나는 MOSFET의 특성 변화," 대한전
자공학회 하계 학술대회 논문집, vol. 26, no.1, pp.687-690, 2003
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11.
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Jae-Sung Lee and Won-Gyu Lee, "Experimental Evidence of Hydrogen-Related Oxide Trap
Generation in Ultrathin SiO2 Film During Negative-Bias Temperature Instability
Stress," 제11회 한국반도체학술대회, 2004
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