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1.

Jaesung Lee, Kwangsoo Kim, Jinsu Han, Jaegab Kim, and Hunsub Park "Electrical Characteristics of Ti-Salicided n-MOSFETs with Asymmetric Source/Drain Regions " International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications, Taiwan, June, 1997.

2.

ÀÌÀ缺 ¡°½Ç¸®»çÀÌµå°øÁ¤ÀÌ ¾Æ³¯·Î±×¿ë ´Ù°áÁ¤ ½Ç¸®ÄÜ Ä¿ÆÐ½ÃÅÍÀÇ ¼±ÇüƯ¼º¿¡ ¹ÌÄ¡´Â ¿µÇâ,¡± À§´ö´ëÇб³ ÀüÀÚ±â¼ú¿¬±¸¼Ò ³í¹®Áö, vol. 2, no. 1, 1999.

3.

ÀÌÀ缺, ¹è¿µÈ£ ¡°Analytical Model and Characterization of Abnormally Structured MOSFET's¡° À§´ö´ëÇб³ ÀüÀÚ±â¼ú¿¬±¸¼Ò ³í¹®Áö, vol. 3, no. 1, 2000.

4.

ÀÌÀ缺, Á¤¿µÃ¶ ¡°ÁýÀûµµ Çâ»óÀ» À§ÇÑ n-MOSFETÀÇ Àü±âÀû Ư¼º ¹× ¸ðµ¨¸µ,¡± À§´ö´ëÇб³ ÀüÀÚ±â¼ú¿¬±¸¼Ò ³í¹®Áö, vol. 4, no. 2, 2000.

5.

ÀÌÀ缺, ±ÇÇõÁÖ, ¼Õ¼±ÀÍ, ÀÌ¿ë¼ö, ÀÌ¿ëÇö "Àç»êÈ­µÈ ½Ç¸®ÄÜ Áú»êÈ­¸·ÀÇ ÀüÇÏ Æ®·¦ ¹Ðµµ Ư ¼º" °æºÏ´ëÇб³ ÀüÀÚ±â¼ú¿¬±¸Áö Á¦ 13 ±Ç, 1992.

6.

ÀÌÀ缺 "Soft breakdown Çö»óÀÌ Deep submicron NMOSFETÀÇ ¼º´É¿¡ ¹ÌÄ¡´Â ¿µÇâ," À§´ö´ëÇÐ ±³ ÀüÀÚ±â¼ú¿¬±¸¼Ò ³í¹®Áö, vol. 4, no. 2, 2003.