대학논문지 |
1.
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Jaesung Lee, Kwangsoo Kim, Jinsu Han, Jaegab Kim, and Hunsub Park
"Electrical Characteristics of Ti-Salicided n-MOSFETs with Asymmetric Source/Drain
Regions "
International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications,
Taiwan, June, 1997.
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2.
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이재성
“실리사이드공정이 아날로그용 다결정 실리콘 커패시터의 선형특성에 미치는 영향,”
위덕대학교 전자기술연구소 논문지, vol. 2, no. 1, 1999.
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3.
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이재성, 배영호
“Analytical Model and Characterization of Abnormally Structured MOSFET's“
위덕대학교 전자기술연구소 논문지, vol. 3, no. 1, 2000.
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4.
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이재성, 정영철
“집적도 향상을 위한 n-MOSFET의 전기적 특성 및 모델링,”
위덕대학교 전자기술연구소 논문지, vol. 4, no. 2, 2000.
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5.
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이재성, 권혁주, 손선익, 이용수, 이용현 "재산화된 실리콘 질산화막의 전하 트랩 밀도 특
성" 경북대학교 전자기술연구지 제 13 권, 1992.
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6.
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이재성 "Soft breakdown 현상이 Deep submicron NMOSFET의 성능에 미치는 영향," 위덕대학
교 전자기술연구소 논문지, vol. 4, no. 2, 2003.
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