국내 |
1.
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Jaesung Lee, Kwangsoo Kim, Jinsu Han, Jaegab Kim, and Hunsub Park
"Electrical Characteristics of Ti-Salicided n-MOSFETs with Asymmetric Source/Drain
Regions "
International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications,
Taiwan, June, 1997.
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2.
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이재성, 오세철, 류창명, 이용수, 이용현
“10V이하의 프로그래밍전압을 갖는 Ta2O5/SiO2로 구성된 안티휴즈 소자”
한국센서학회 센서학회지 vol. 4, no. 3, pp. 80-88, 1995.
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3.
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이재성, 류창명, 강신원, 이정희, 이용현,
“열적 성장된 실리콘 질화막위에 산화 탄탈륨 초박막의 형성”
대한전자공학회 vol. 32, no. 11, pp. 35-43, 1995.
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4.
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이재성, 박형호, 이정희 이용현
“열처리된 SiO2/TiW 구조의 계면 특성”
대한전자공학회 vol. 33, no. 3, pp. 117-125, 1996.
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5.
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이재성, 이용현, "과잉 Ti 성분의 티탄산 바륨과 실리콘 산화막으로 구성된 안티퓨즈,"
대한전자공학회. vol. 35, no. 7, pp. 72-78, 1998.
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6.
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이재성, 이용현, 최시영, 이덕동, "VLSI를 위한 플라즈마 열적질화막의 형성," 전자공학회
논문지 vol. 26, no. 11, 1989
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7.
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이영민, 이재성, 이용현, " BaTiO3/SiO2로 구성된 안티퓨즈의 전기적 특성," 한국센서학
회, vol. 7, no.5, pp.65 - 72, 1998.
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8.
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공동욱, 이재성, 남기홍, 이용현,"집적도 향상을 위한 비대칭 n-MOSFET의 전기적 특성 및
모델링," 대한전자공학회, 2001, vol. 38, no. 7, pp. 10-18.
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