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1.

Jaesung Lee, Kwangsoo Kim, Jinsu Han, Jaegab Kim, and Hunsub Park "Electrical Characteristics of Ti-Salicided n-MOSFETs with Asymmetric Source/Drain Regions " International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications, Taiwan, June, 1997.

2.

ÀÌÀ缺, ¿À¼¼Ã¶, ·ùâ¸í, ÀÌ¿ë¼ö, ÀÌ¿ëÇö ¡°10VÀÌÇÏÀÇ ÇÁ·Î±×·¡¹ÖÀü¾ÐÀ» °®´Â Ta2O5/SiO2·Î ±¸¼ºµÈ ¾ÈƼÈÞÁî ¼ÒÀÚ¡± Çѱ¹¼¾¼­ÇÐȸ ¼¾¼­ÇÐȸÁö vol. 4, no. 3, pp. 80-88, 1995.

3.

ÀÌÀ缺, ·ùâ¸í, °­½Å¿ø, ÀÌÁ¤Èñ, ÀÌ¿ëÇö, ¡°¿­Àû ¼ºÀåµÈ ½Ç¸®ÄÜ ÁúÈ­¸·À§¿¡ »êÈ­ źŻ·ý Ãʹڸ·ÀÇ Çü¼º¡± ´ëÇÑÀüÀÚ°øÇÐȸ vol. 32, no. 11, pp. 35-43, 1995.

4.

ÀÌÀ缺, ¹ÚÇüÈ£, ÀÌÁ¤Èñ ÀÌ¿ëÇö ¡°¿­Ã³¸®µÈ SiO2/TiW ±¸Á¶ÀÇ °è¸é Ư¼º¡± ´ëÇÑÀüÀÚ°øÇÐȸ vol. 33, no. 3, pp. 117-125, 1996.

5.

ÀÌÀ缺, ÀÌ¿ëÇö, "°úÀ× Ti ¼ººÐÀÇ Æ¼Åº»ê ¹Ù·ý°ú ½Ç¸®ÄÜ »êÈ­¸·À¸·Î ±¸¼ºµÈ ¾ÈƼǻÁî," ´ëÇÑÀüÀÚ°øÇÐȸ. vol. 35, no. 7, pp. 72-78, 1998.

6.

ÀÌÀ缺, ÀÌ¿ëÇö, Ãֽÿµ, ÀÌ´öµ¿, "VLSI¸¦ À§ÇÑ ÇöóÁ ¿­ÀûÁúÈ­¸·ÀÇ Çü¼º," ÀüÀÚ°øÇÐȸ ³í¹®Áö vol. 26, no. 11, 1989

7.

ÀÌ¿µ¹Î, ÀÌÀ缺, ÀÌ¿ëÇö, " BaTiO3/SiO2·Î ±¸¼ºµÈ ¾ÈƼǻÁîÀÇ Àü±âÀû Ư¼º," Çѱ¹¼¾¼­ÇРȸ, vol. 7, no.5, pp.65 - 72, 1998.

8.

°øµ¿¿í, ÀÌÀ缺, ³²±âÈ«, ÀÌ¿ëÇö,"ÁýÀûµµ Çâ»óÀ» À§ÇÑ ºñ´ëĪ n-MOSFETÀÇ Àü±âÀû Ư¼º ¹× ¸ðµ¨¸µ," ´ëÇÑÀüÀÚ°øÇÐȸ, 2001, vol. 38, no. 7, pp. 10-18.