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¡æ  Çмú´ëȸ(±¹³»)

°­Àǽð£Ç¥

 


Çмú´ëȸ(±¹³»)

1.  ±ÇÇõÁÖ, ÀÌ¿ë¼ö, ÀÌÀ缺, ÀÌ¿ëÇö
        ¡° PTC, BaTiO3  grain ÀúÇ×°ú ¿ë·® Ư¼º¡±  
        Çѱ¹¼¾¼­ÇÐȸ Çмú´ëȸ ³í¹®Áý vol. 2, no. 1, 1991. 

2. ±ÇÇõÁÖ, Àüº»±Ù, ÀÌÀ缺, ÀÌ¿ë¼ö, ÀÌ ¿ëÇö
       ¡°BaTiO3  PTC ¼ÒÀÚ¿Í ¿­ÁõÂøµÈ Al Àü±ØÀÇ Á¢ÃË
       Æ¯¼º¡±  Çѱ¹¼¾¼­ÇÐȸ Çмú´ëȸ ³í¹®Áý vol. 3, no. 1, 1992.  

3. ÀÌÀ缺, ¿À¼¼Ã¶, ÀÌ¿ëÇö
       ¡° Ti0.1W0.9 À§¿¡ ÁõÂøµÈ SiO2 ¹Ú¸·ÀÇ ÈÄ¼Ó ¿­Ã³¸®¿¡ ÀÇÇÑ Àü±âÀû Àý¿¬Æ¯¼ºÁ¶»ç.¡°
       Çѱ¹¼¾¼­ÇÐȸ Çмú´ëȸ ³í¹®Áý, vol. 5, no. 1, 1994. 

4. ¹ÚÇüÈ£, ÀÌÀ缺, Á¶°æÀÍ, ÀÌ¿ëÇö
       ¡° XPS chamber ³» in-situ ¿­Ã³¸®¿¡ ÀÇÇÑ SiO2/TiW system ÀÇ °è¸é ¹ÝÀÀ ¿¬±¸ ¡±
       1994³âµµ  Çѱ¹Àç·áÇÐȸ  Ãá°èÇмú´ëȸ ³í¹®Áý, 1994.  

5. ¹ÚÇüÈ£, ÀÌÀ缺, °­µ¿±Ô, Á¶°æÀÍ, ÀÌ¿ëÇö
       ¡° Àý¿¬¹°/±Ý¼Ó system ÀÇ In/Ex-situ ¿­Ã³¸®¿¡ ÀÇÇÑ °è¸é»óÅ ºñ±³ ¿¬±¸ ¡±  
       Çѱ¹ Áø°ø ÇÐȸ Á¦ 7ȸ Çмú ¹ßǥȸ ¹× ÇÑ,ÀÏ CVD ½ÉÆ÷Áö¿ò ³í¹®Áý, 1994.

6. ÀÌÀ缺, ·ùâ¸í, À̼®Çå, ±èâ±Õ, ÀÌ¿ëÇö
        ¡° Al/¥á-BaTiO3/SiO2/TiW½Ç¸®»çÀÌµå ¾ÈÆ¼Ç»ÁîÀÇ Á¦Á¶ ¡±
       Çѱ¹¼¾¼­ÇÐȸ Çмú´ëȸ ³í¹®Áý, vol. 6, no. 1, pp.272-279, 1995. 

7. ÀÌÀ缺, ·ùâ¸í, À̼®Çå, ±èαÕ, ÀÌ¿ëÇö
       ¡° ¾ÈƼǻÁî ¼ÒÀÚÀÇ ÇÏÃþ Àü±ØÀ¸·Î »ç¿ëµÉ TiW  ½Ç¸®»çÀ̵åÀÇ Á¦Á¶ ¡±
       Çѱ¹Àç·áÇÐȸ Ãß°è Çмú´ëȸ ³í¹®Áý,  1995. 

8. ·ùâ¸í, ÀÌÀ缺, À̼®Çå, ±èâ±Õ, ÀÌ¿ëÇö
        ¡° RF magnetron ½ºÆÛÅ͸µ¹ýÀ¸·Î ÁõÂøÇÑ BaTiO3¹Ú¸·ÀÇ Á¦Á¶ ¹× ±× Ư¼º,¡±
        Çѱ¹¼¾¼­ÇÐȸ Çмú´ëȸ ³í¹®Áý, vol. 6, no. 1, pp. 462-468, 1995.     

9. °øµ¿¿í, ÀÌÀ缺, ÀÌ¿ëÇö
        ¡°ºñ´ëĪ ¼Ò¿À½º/µå·¹ÀÎÀ» °®´Â NMOSFETÀÇ Àü±âÀû Ư¼º  ,¡±
        ´ëÇÑÀüÀÚ°øÇÐȸ Ãß°è Çмú´ëȸ ³í¹®Áý, vol. 21, no. 2, pp.533-536, 1998. 

10. °øµ¿¿í, Á¤È¯Èñ, ÀÌÀ缺, ÀÌ¿ëÇö
            ¡°ºÒ±ÔÄ¢ÇÑ ¼Ò¿À½º/µå·¹ÀÎ ±Ý¼Ó Á¢ÃËÀ» °®´Â ºñ´ëĪ m-MOSFETÀÇ Àü±âÀû Ư¼º ¹× ¸ðµ¨,¡±
            ´ëÇÑÀüÀÚ°øÇÐȸ Ãß°è Çмú´ëȸ ³í¹®Áý, vol. 22, no. 2, pp.208-211, 1999.