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Çмú´ëȸ(±¹³»)
1. ±ÇÇõÁÖ, ÀÌ¿ë¼ö, ÀÌÀ缺, ÀÌ¿ëÇö ¡° PTC, BaTiO3 grain
ÀúÇ×°ú ¿ë·® Ư¼º¡± Çѱ¹¼¾¼ÇÐȸ Çмú´ëȸ ³í¹®Áý vol. 2, no. 1, 1991.
2. ±ÇÇõÁÖ, Àüº»±Ù, ÀÌÀ缺, ÀÌ¿ë¼ö, ÀÌ ¿ëÇö ¡°BaTiO3 PTC ¼ÒÀÚ¿Í
¿ÁõÂøµÈ Al Àü±ØÀÇ Á¢ÃË Æ¯¼º¡± Çѱ¹¼¾¼ÇÐȸ Çмú´ëȸ ³í¹®Áý vol. 3, no.
1, 1992.
3. ÀÌÀ缺, ¿À¼¼Ã¶, ÀÌ¿ëÇö ¡° Ti0.1W0.9 À§¿¡ ÁõÂøµÈ SiO2 ¹Ú¸·ÀÇ ÈÄ¼Ó ¿Ã³¸®¿¡
ÀÇÇÑ Àü±âÀû Àý¿¬Æ¯¼ºÁ¶»ç.¡° Çѱ¹¼¾¼ÇÐȸ Çмú´ëȸ ³í¹®Áý, vol. 5, no. 1, 1994.
4. ¹ÚÇüÈ£, ÀÌÀ缺, Á¶°æÀÍ, ÀÌ¿ëÇö ¡° XPS chamber ³» in-situ ¿Ã³¸®¿¡
ÀÇÇÑ SiO2/TiW system ÀÇ °è¸é ¹ÝÀÀ ¿¬±¸ ¡± 1994³âµµ Çѱ¹Àç·áÇÐȸ Ãá°èÇмú´ëȸ
³í¹®Áý, 1994.
5. ¹ÚÇüÈ£, ÀÌÀ缺, °µ¿±Ô, Á¶°æÀÍ, ÀÌ¿ëÇö ¡° Àý¿¬¹°/±Ý¼Ó system ÀÇ In/Ex-situ
¿Ã³¸®¿¡ ÀÇÇÑ °è¸é»óÅ ºñ±³ ¿¬±¸ ¡± Çѱ¹ Áø°ø ÇÐȸ Á¦ 7ȸ Çмú ¹ßǥȸ
¹× ÇÑ,ÀÏ CVD ½ÉÆ÷Áö¿ò ³í¹®Áý, 1994.
6. ÀÌÀ缺, ·ùâ¸í, À̼®Çå, ±èâ±Õ, ÀÌ¿ëÇö ¡° Al/¥á-BaTiO3/SiO2/TiW½Ç¸®»çÀ̵å
¾ÈƼǻÁîÀÇ Á¦Á¶ ¡± Çѱ¹¼¾¼ÇÐȸ Çмú´ëȸ ³í¹®Áý, vol. 6, no. 1, pp.272-279,
1995.
7. ÀÌÀ缺, ·ùâ¸í, À̼®Çå, ±èαÕ, ÀÌ¿ëÇö ¡° ¾ÈƼǻÁî ¼ÒÀÚÀÇ ÇÏÃþ Àü±ØÀ¸·Î
»ç¿ëµÉ TiW ½Ç¸®»çÀ̵åÀÇ Á¦Á¶ ¡± Çѱ¹Àç·áÇÐȸ Ãß°è Çмú´ëȸ ³í¹®Áý, 1995.
8. ·ùâ¸í, ÀÌÀ缺, À̼®Çå, ±èâ±Õ, ÀÌ¿ëÇö ¡° RF magnetron ½ºÆÛÅ͸µ¹ýÀ¸·Î
ÁõÂøÇÑ BaTiO3¹Ú¸·ÀÇ Á¦Á¶ ¹× ±× Ư¼º,¡± Çѱ¹¼¾¼ÇÐȸ Çмú´ëȸ ³í¹®Áý, vol. 6,
no. 1, pp. 462-468, 1995.
9. °øµ¿¿í, ÀÌÀ缺, ÀÌ¿ëÇö ¡°ºñ´ëĪ ¼Ò¿À½º/µå·¹ÀÎÀ» °®´Â NMOSFETÀÇ Àü±âÀû
Ư¼º ,¡± ´ëÇÑÀüÀÚ°øÇÐȸ Ãß°è Çмú´ëȸ ³í¹®Áý, vol. 21, no. 2, pp.533-536,
1998.
10. °øµ¿¿í, Á¤È¯Èñ, ÀÌÀ缺, ÀÌ¿ëÇö ¡°ºÒ±ÔÄ¢ÇÑ ¼Ò¿À½º/µå·¹ÀÎ ±Ý¼Ó Á¢ÃËÀ»
°®´Â ºñ´ëĪ m-MOSFETÀÇ Àü±âÀû Ư¼º ¹× ¸ðµ¨,¡± ´ëÇÑÀüÀÚ°øÇÐȸ Ãß°è Çмú´ëȸ ³í¹®Áý, vol. 22, no. 2, pp.208-211, 1999.
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