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국내
1. 이재성, 이용현, 최시영, 이덕동
“VLSI를 위한 플라즈마 열적질화막의 형성,”
전자공학회논문지 vol. 26, no. 11, 1989.
2. 권혁주, 이재성, 이용수, 이동기, 이용현
“ BaTiO3 PTC 서미스터
입계의 전기적 특성”
한국센서학회 센서학회지 vol. 1, no. 1, 1992.
3. 이재성, 오세철, 류창명, 이용수, 이용현
“ 10V이하의 프로그래밍전압을
갖는 Ta2O5/SiO2로 구성된 안티휴즈 소자”
한국센서학회 센서학회지 vol.
4, no. 3, pp. 80-88, 1995.
4. 이재성, 류창명, 강신원, 이정희, 이용현,
“ 열적 성장된 실리콘 질화막위에
산화 탄탈륨 초박막의 형성”
대한전자공학회 vol. 32, no. 11, pp. 35-43, 1995.
5. 이재성, 박형호, 이정희 이용현
“열처리된 SiO2/TiW 구조의 계면 특성”
대한전자공학회 vol. 33, no. 3, pp. 117-125, 1996.
6. 이재성, 이용현
“과잉 Ti 성분의 티탄산 바륨과 실리콘 산화막으로
구성된 안티퓨즈,”
대한전자공학회. vol. 35, no. 7, pp. 72-78, 1998.
7. 이영민, 이재성, 이용현
“ BaTiO3/SiO2로 구성된 안티퓨즈의 전기적 특성,”
한국센서학회, vol. 7, no.5, pp.65 - 72, 1998.
8. 이재성, 이재곤,
“ 실리사이드 공정에 의해 제조된 아날로그용 다결정 실리콘
커패시터의 전기적 특성 변화,”
대한전자공학회, 2001, vol. 38, no. 1, pp. 612-618.
9. 공동욱, 이재성, 남기홍, 이용현,
“집적도 향상을 위한 비대칭 n-MOSFET의
전기적 특성 및 모델링,”
대한전자공학회, 2001, vol. 38, no. 7, pp. 10-18.
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