|
´ëÇÐ³í¹®Áö
1. ÀÌÀ缺, ±ÇÇõÁÖ, ¼Õ¼±ÀÍ, ÀÌ¿ë¼ö, ÀÌ¿ëÇö ¡°Àç»êÈµÈ ½Ç¸®ÄÜ Áú»êȸ·ÀÇ
ÀüÇÏ Æ®·¦ ¹Ðµµ Ư¼º¡± °æºÏ´ëÇб³ ÀüÀÚ±â¼ú¿¬±¸Áö Á¦ 13 ±Ç, 1992.
2. ÀÌÀ缺, ÀÌ¿ë¼ö, ÀÌ»óȯ, ÀÌ¿ëÇö ¡° NH3 ºÐÀ§±â¿¡¼ ÁúÈµÈ ½Ç¸®ÄÜ
Áú»êȸ·³»ÀÇ ¼ö¼Ò ºÐÆ÷¡± °æºÏ´ëÇб³ ÀüÀÚ±â¼ú¿¬±¸Áö Á¦ 14 ±Ç 1993.
3. ÀÌÀ缺 ¡°½Ç¸®»çÀÌµå°øÁ¤ÀÌ ¾Æ³¯·Î±×¿ë ´Ù°áÁ¤ ½Ç¸®ÄÜ Ä¿ÆÐ½ÃÅÍÀÇ ¼±ÇüƯ¼º¿¡
¹ÌÄ¡´Â ¿µÇâ,¡± À§´ö´ëÇб³ ÀüÀÚ±â¼ú¿¬±¸¼Ò ³í¹®Áö, vol. 2, no. 1, 1999.
4. ÀÌÀ缺, ¹è¿µÈ£ ¡°Analytical Model and Characterization of Abnormally
Structured MOSFET's¡° À§´ö´ëÇб³ ÀüÀÚ±â¼ú¿¬±¸¼Ò ³í¹®Áö, vol. 3, no.
1, 2000.
5. ÀÌÀ缺, Á¤¿µÃ¶ ¡°ÁýÀûµµ Çâ»óÀ» À§ÇÑ n-MOSFETÀÇ Àü±âÀû Ư¼º ¹× ¸ðµ¨¸µ,¡±
À§´ö´ëÇб³ ÀüÀÚ±â¼ú¿¬±¸¼Ò ³í¹®Áö, vol. 4, no. 2, 2000.
|
|