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    특허(patents) 제출


 
 


Publications

기초전기전자 실험, 위덕대학교 출판부, 1999년

연구과제명

지원기관

역할

연구기간

아날로그 회로에 사용되는 submicron MOSFET의 열화 특성에 대한 분석과 그 모델에 대한 연구

학술 진흥 재단

책임

2000.09.01~2001.08.31

박막 게이트 산화막의 soft breakdown 현상과 그 MOS 소자의 특성 변화에 대한 연구

한국과학재단

책임

2001.04.01~2002.03.31

중수소 열처리에 의한 박막 산화막의 열화 특성 변화에 대한 연구

한국과학재단

책임

2002.07.31~2003.06.30

양성자 균일 조사기술 및 Si-반도체 양성자 유도 결함 분석기술 개발

양성자기반공학기술개발사업단

공동

2003.09.30~2005.07.31

결함 전하량으로 계산되는 고집적 MOS 소자의 보편적 수명 예측 기술 개발

학술 진흥 재단

책임

2005.12-2006.11.

수소 및 중수소 이온 빔 조사를 통한 nano-scale MOS 소자의 신뢰성 개선 방법

양성자기반공학기술개발사업단

책임

2006. 4. 1. ～ 2007. 3.31

반도체 소자의 신뢰성 개선을 위해 반도체 표준 제조 공정에서 사용할 수 있는 중수소 이온 주입공정 개발

양성자기반공학기술개발사업단

책임

2007. 4. 1. ～2008. 3. 31. (1년)

수소 후속 열처리 (PMA) 공정을 대체할 수 있는 저에너지 중수소 이온 주입법의 개발

양성자기반공학기술개발사업단

책임

2008. 6.~ 2010. 3.

Photodetector구조를 포함하는 CMOS용 바이오센서의 개발

한국연구재단

책임

2013. 11.~ 2016. 6.


특허(Patents) 제출

1. “프로그램 가능 통로 배열(FPGA)소자 제조 방법” ETRI와 공동 國內 特許 提出

2. “프로그램가능 안티퓨즈(programmable anti-fuse) 소자 및 그 제조방법
       ” ETRI와 공동 國內 特許 提出

3. “반도체 소자의 실리사이드 형성 방법” 현대전자와 공동 特許 提出  

4. “안티퓨즈 및 그 제조 방법” 현대전자와 공동 特許 提出

5. “아날로그 용 metal-to-metal capacitor의 제조” 현대전자와 공동 特許 提出

6. “단일 게이트 산화막 두께로 dual gate oxide process 실현 방법” 현대전자와
        공동 特許 提出

7. “트랜지스터의 누설 특성을 개선한 새로운 trench 형성 방법” 현대전자와 공동 特許 提出

8. “선형성이 우수한 고집적 metal-to-metal capacitor의 제조” 현대전자와 공동 特許 提出
 

9. “공정 제어설비의 장애 발생에 따른 메시지 전송 시스템 및 방법” 인터시스템과 공동 출원
 

10. “반도체 소자의 제조 방법” 등록번호: 제10-0760344호
 

11. “중수소 이온 주입을 이용한 반도체 소자의 제조 방법”  등록번호 : 제10-0992535호
 

12. “다결정 실리콘 적층제 및 그의 누설전류 제어 방법”  등록 번호 : 제10-13204480000호